高真空磁控濺射儀  型號:KM1-SD-650MH  

原理：
濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在
異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電
場的作用下，對陰極靶材表面進行轟
擊，把靶材表面的分子、原子、離子
及電子等濺射出來，被濺射出來的粒
子帶有一定的動能，沿一定的方向射
向基體表面，在基體表面形成鍍層。
濺射時產(chǎn)生的快電子在正交的電磁
場中作近似擺線運動，增加了電子行
程，提高了氣體的離化率，同時高能
量粒子與氣體碰撞后失去能量，基體
溫度較低，在不耐溫材料上可以完成
鍍膜。
用途：
KM1-SD-650MH 高真空磁控濺射鍍膜儀是袖珍型磁控濺射
設(shè)備,主要由濺射真空室、磁控濺射靶、樣品臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測
量及電控系統(tǒng)等部分組成。高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種薄膜材料的
制備，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點，可用于大專、科研
院所的薄膜材料研究、制備。

高真空磁控濺射儀  型號:KM1-SD-650MH  

參數(shù)：
儀器主機尺寸: 長 610mm×寬 420mm×高 220mm（注：含腔體總高 490mm）
工作腔室尺寸： 標(biāo)配：玻璃腔體（高度可選）：直徑 260mm×高 200mm（外尺寸）
直徑 240mm×高 200mm（內(nèi)尺寸）
選配：金屬腔體：直徑 260mm×高 270mm（外尺寸 ）
直徑 210mm×高 270mm（內(nèi)尺寸）
靶頭： 標(biāo)配：單靶
選配：雙靶（雙靶儀器主機尺寸和工作腔體尺寸會隨之增大）
靶材尺寸： 直徑 50mm×厚 3mm（因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同）
靶材料： 標(biāo)配一塊直徑 50mm×3mm 的銅靶（可選配多種靶材）
靶槍冷卻方式： 水冷
真空系統(tǒng)： 抗沖擊渦輪分子泵，抽速為 300L/s
前級機械泵： 抽速為 4L/s，帶防返油電磁閥及油污過濾器
真空測量： 采用復(fù)合真空計監(jiān)測真空
真空度: 5×10
-5Pa（10 分鐘可到 9×10
-4Pa）
電源： 標(biāo)配：直流恒流電源：輸入電壓：220V
輸出電壓：0-600v
輸出電流：0-1.6A
選配：射頻功率電源：功率 1000W，配射頻匹配器。
載樣臺： 直徑 200mm，可根據(jù)客戶需求定制載樣臺。
工作氣體： Ar 等惰性氣體（需自備氣瓶及減壓閥）
氣路： 濺射真空度手動調(diào)整（可選配氣體質(zhì)量流量計）
水冷： 自循環(huán)冷卻水機
電源電壓： 220V 50Hz
啟動功率 3KW